HRP35N04K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRP35N04K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HRP35N04K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRP35N04K даташит

 ..1. Size:1143K  semihow
 hrp35n04k.pdf pdf_icon

HRP35N04K

December 2014 BVDSS = 40 V RDS(on) typ = 2.9m HRP35N04K ID = 150 A 40V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 110 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 2.9 m (Typ.

 7.1. Size:793K  semihow
 hrp35n06k.pdf pdf_icon

HRP35N04K

December 2014 BVDSS = 60 V RDS(on) typ = 2.8m HRP35N06K ID = 210 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 190 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 2.8 m (Typ.

Другие IGBT... HRLU80N06K, HRLW250N10K, HRP100N08K, HRP130N06K, HRP140N06K, HRP180N10K, HRP30N04K, HRP33N04K, IRFZ48N, HRP35N06K, HRP370N10K, HRP40N08K, HRP45N06K, HRP45N08K, HRP56N08K, HRP58N06K, HRP70N06K