Справочник MOSFET. HRP35N04K

 

HRP35N04K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HRP35N04K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.6 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 150 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 110 nC
   Время нарастания (tr): 110 ns
   Выходная емкость (Cd): 1000 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HRP35N04K

 

 

HRP35N04K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1143K  semihow
hrp35n04k.pdf

HRP35N04K
HRP35N04K

December 2014 BVDSS = 40 V RDS(on) typ = 2.9m HRP35N04K ID = 150 A 40V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 110 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 2.9 m (Typ.

 7.1. Size:793K  semihow
hrp35n06k.pdf

HRP35N04K
HRP35N04K

December 2014 BVDSS = 60 V RDS(on) typ = 2.8m HRP35N06K ID = 210 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 190 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 2.8 m (Typ.

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top