HRP70N06K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRP70N06K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HRP70N06K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRP70N06K даташит

 ..1. Size:834K  semihow
 hrp70n06k.pdf pdf_icon

HRP70N06K

December 2014 BVDSS = 60 V RDS(on) typ = 5.6m HRP70N06K ID = 80 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 100 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 5.6 m (Typ.)

Другие IGBT... HRP35N04K, HRP35N06K, HRP370N10K, HRP40N08K, HRP45N06K, HRP45N08K, HRP56N08K, HRP58N06K, EMB04N03H, HRP72N06K, HRP80N06K, HRP80N08K, HRP85N06K, HRP85N08K, HRP88N08K, HRP90N75K, HRS130N06K