HRP88N08K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRP88N08K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HRP88N08K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRP88N08K даташит

 ..1. Size:817K  semihow
 hrp88n08k.pdf pdf_icon

HRP88N08K

December 2014 BVDSS = 80 V RDS(on) typ = 7.4m HRP88N08K ID = 80 A 80V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 75nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 7.4 m (Typ.) @

Другие IGBT... HRP56N08K, HRP58N06K, HRP70N06K, HRP72N06K, HRP80N06K, HRP80N08K, HRP85N06K, HRP85N08K, IRFP064N, HRP90N75K, HRS130N06K, HRS140N06K, HRS180N10K, HRS370N10K, HRS45N08K, HRS70N06K, HRS80N08K