HRS140N06K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRS140N06K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для HRS140N06K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRS140N06K даташит

 ..1. Size:151K  semihow
 hrs140n06k.pdf pdf_icon

HRS140N06K

December 2014 BVDSS = 60 V RDS(on) typ HRS140N06K ID = 40 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 11.5 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Te

Другие IGBT... HRP72N06K, HRP80N06K, HRP80N08K, HRP85N06K, HRP85N08K, HRP88N08K, HRP90N75K, HRS130N06K, IRFZ44N, HRS180N10K, HRS370N10K, HRS45N08K, HRS70N06K, HRS80N08K, HRS85N08K, HRS88N08K, HRS90N75K