Справочник MOSFET. HRS85N08K

 

HRS85N08K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRS85N08K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HRS85N08K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  semihow
hrs85n08k.pdfpdf_icon

HRS85N08K

Jan 2016BVDSS = 80 VRDS(on) typ = 7 HRS85N08K ID = 110 A80V N-Channel Trench MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 75nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 7 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche TestedAbsol

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: NDB6020P | WMQ30N03T2

 

 
Back to Top

 


 
.