Справочник MOSFET. OSG60R070HF

 

OSG60R070HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R070HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350.1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для OSG60R070HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R070HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:398K  oriental semi
 osg60r070hf.pdf pdf_icon

OSG60R070HF

OSG60R070HF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Generic series is optimized for extreme switch

 4.1. Size:935K  oriental semi
 osg60r070ht3f.pdf pdf_icon

OSG60R070HF

OSG60R070HT3F Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Generic series is optimized for extreme swit

 4.2. Size:403K  oriental semi
 osg60r070hsf.pdf pdf_icon

OSG60R070HF

 4.3. Size:931K  oriental semi
 osg60r070ht3zf.pdf pdf_icon

OSG60R070HF

OSG60R070HT3ZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery d

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... OSG60R060HT3ZF , OSG60R060KT3ZF , OSG60R060PT3F , OSG60R065JT3F , OSG60R069HF , OSG60R069HSF , OSG60R069HZF , OSG60R070FF , 2N7002 , OSG60R070HSF , OSG60R070HT3F , OSG60R070HT3ZF , OSG60R070KT3ZF , OSG60R070PT3ZF , OSG60R074FSZF , OSG60R074HSZF , OSG60R074JT3ZF .

History: CHM634PAGP | NVMFS5A140PLZ

 

 
Back to Top

 


 
.