OSG60R070KT3ZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R070KT3ZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 411 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для OSG60R070KT3ZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R070KT3ZF даташит

 ..1. Size:921K  oriental semi
 osg60r070kt3zf.pdf pdf_icon

OSG60R070KT3ZF

OSG60R070KT3ZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery d

 5.1. Size:935K  oriental semi
 osg60r070ht3f.pdf pdf_icon

OSG60R070KT3ZF

OSG60R070HT3F Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Generic series is optimized for extreme swit

 5.2. Size:991K  oriental semi
 osg60r070pt3zf.pdf pdf_icon

OSG60R070KT3ZF

OSG60R070PT3ZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery d

 5.3. Size:403K  oriental semi
 osg60r070hsf.pdf pdf_icon

OSG60R070KT3ZF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG60R069HF, OSG60R069HSF, OSG60R069HZF, OSG60R070FF, OSG60R070HF, OSG60R070HSF, OSG60R070HT3F, OSG60R070HT3ZF, IRFP064N, OSG60R070PT3ZF, OSG60R074FSZF, OSG60R074HSZF, OSG60R074JT3ZF, OSG60R074KSZF, OSG60R075HSZF, OSG60R092FF, OSG60R092HF