Справочник MOSFET. OSG60R074JT3ZF

 

OSG60R074JT3ZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R074JT3ZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 68.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 44.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 177 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074 Ohm
   Тип корпуса: PDFN8X8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R074JT3ZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:963K  oriental semi
 osg60r074jt3zf.pdf pdf_icon

OSG60R074JT3ZF

 5.1. Size:1106K  1
 osg60r074hzf osg60r074fzf.pdf pdf_icon

OSG60R074JT3ZF

OSG60R074xZF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Ultra-fast and robust body diode PC power Low R & FOM Server power supply DS(on) Excellent low switching loss Telecom Excellent stability and uniformity Solar invertor Easy to drive Super charger for automobiles OSG60R074HZF, OSG60R074FZF , Enhanc

 5.2. Size:924K  oriental semi
 osg60r074hszf.pdf pdf_icon

OSG60R074JT3ZF

OSG60R074HSZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery di

 5.3. Size:1017K  oriental semi
 osg60r074fzf.pdf pdf_icon

OSG60R074JT3ZF

OSG60R074FZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery dio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IPW90R1K0C3 | BUK9614-60E | GSM4048WS | RJK1055DPB | AO7414 | IXTH31N20MB

 

 
Back to Top

 


 
.