Справочник MOSFET. OSG60R075HSZF

 

OSG60R075HSZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R075HSZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 342 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 266 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для OSG60R075HSZF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R075HSZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:869K  oriental semi
osg60r075hszf.pdfpdf_icon

OSG60R075HSZF

 6.1. Size:1106K  1
osg60r074hzf osg60r074fzf.pdfpdf_icon

OSG60R075HSZF

OSG60R074xZF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Ultra-fast and robust body diode PC power Low R & FOM Server power supply DS(on) Excellent low switching loss Telecom Excellent stability and uniformity Solar invertor Easy to drive Super charger for automobiles OSG60R074HZF, OSG60R074FZF , Enhanc

 6.2. Size:924K  oriental semi
osg60r074hszf.pdfpdf_icon

OSG60R075HSZF

OSG60R074HSZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery di

 6.3. Size:1017K  oriental semi
osg60r074fzf.pdfpdf_icon

OSG60R075HSZF

OSG60R074FZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery dio

Другие MOSFET... OSG60R070HT3F , OSG60R070HT3ZF , OSG60R070KT3ZF , OSG60R070PT3ZF , OSG60R074FSZF , OSG60R074HSZF , OSG60R074JT3ZF , OSG60R074KSZF , IRF840 , OSG60R092FF , OSG60R092HF , OSG60R092HSF , OSG60R092HT3ZF , OSG60R092PT3ZF , OSG60R096FSF , OSG60R096HSF , OSG60R096KSF .

History: HAT2020R | STD45NF75T4 | 2SK2864 | DE275X2-102N06A | 2SK401 | AP80SL990BH | FQD8N25TF

 

 
Back to Top

 


 
.