OSG60R096PSF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R096PSF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 261 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.096 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для OSG60R096PSF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R096PSF даташит

 ..1. Size:830K  oriental semi
 osg60r096psf.pdf pdf_icon

OSG60R096PSF

 5.1. Size:885K  oriental semi
 osg60r096hsf.pdf pdf_icon

OSG60R096PSF

 5.2. Size:857K  oriental semi
 osg60r096ksf.pdf pdf_icon

OSG60R096PSF

 5.3. Size:844K  oriental semi
 osg60r096fsf.pdf pdf_icon

OSG60R096PSF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG60R092FF, OSG60R092HF, OSG60R092HSF, OSG60R092HT3ZF, OSG60R092PT3ZF, OSG60R096FSF, OSG60R096HSF, OSG60R096KSF, IRLZ44N, OSG60R099FEZF, OSG60R099FT3F, OSG60R099HEZF, OSG60R099HF, OSG60R099HSZF, OSG60R099HT3F, OSG60R099JF, OSG60R099KEZF