OSG60R108JZF datasheet, подбор замены

OSG60R108JZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R108JZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 101 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 71.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 246 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.108 Ohm

Тип корпуса: PDFN8X8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам