OSG60R108KZF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: OSG60R108KZF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 101 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 37.1 nC
Время нарастания (tr): 71.1 ns
Выходная емкость (Cd): 246 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.108 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для OSG60R108KZF
OSG60R108KZF Datasheet (PDF)
5.5. Size:721K oriental semi
osg60r108fzf.pdf
osg60r108fzf.pdf
OSG60R108FZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery dio
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
