OSG60R180HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: OSG60R180HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 49.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для OSG60R180HF
OSG60R180HF Datasheet (PDF)
osg60r180psf osg60r180fsf osg60r180isf osg60r180hsf osg60r180ksf.pdf
OSG60R180xSF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG60R180PSF/FSF/ISF/HSF/KSF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG60
Другие MOSFET... OSG60R150FF , OSG60R150HF , OSG60R150JF , OSG60R150KF , OSG60R150PF , OSG60R180DT3F , OSG60R180FSF-NB , OSG60R180FT3F , IRF9540N , OSG60R180IF , OSG60R180KF , OSG60R180PF , OSG60R190DT3ZF , OSG60R190DTF , OSG60R190FSZF , OSG60R190FT3ZF , OSG60R1K2AF .
History: CEP85N75 | IXFC14N80P | PSMN0R9-30YLD | HM60N03D | FTK2102 | SSM6P36FE
History: CEP85N75 | IXFC14N80P | PSMN0R9-30YLD | HM60N03D | FTK2102 | SSM6P36FE
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
k3563 transistor | 2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet