OSG60R190FT3ZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R190FT3ZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG60R190FT3ZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R190FT3ZF даташит

 ..1. Size:922K  oriental semi
 osg60r190ft3zf.pdf pdf_icon

OSG60R190FT3ZF

 4.1. Size:898K  oriental semi
 osg60r190fszf.pdf pdf_icon

OSG60R190FT3ZF

 5.1. Size:980K  oriental semi
 osg60r190dtf.pdf pdf_icon

OSG60R190FT3ZF

 5.2. Size:946K  oriental semi
 osg60r190dt3zf.pdf pdf_icon

OSG60R190FT3ZF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG60R180FT3F, OSG60R180HF, OSG60R180IF, OSG60R180KF, OSG60R180PF, OSG60R190DT3ZF, OSG60R190DTF, OSG60R190FSZF, IRFB3607, OSG60R1K2AF, OSG60R1K2DF, OSG60R1K2FF, OSG60R1K2PF, OSG60R1K8AF, OSG60R1K8DF, OSG60R1K8FF, OSG60R1K8PF