Справочник MOSFET. OSG60R260AF

 

OSG60R260AF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG60R260AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 104 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 17.8 nC
   Время нарастания (tr): 40.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 76.4 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для OSG60R260AF

 

 

OSG60R260AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:999K  oriental semi
osg60r260af.pdf

OSG60R260AF
OSG60R260AF

 5.1. Size:997K  oriental semi
osg60r260df.pdf

OSG60R260AF
OSG60R260AF

 5.2. Size:998K  oriental semi
osg60r260ff.pdf

OSG60R260AF
OSG60R260AF

 5.3. Size:1000K  oriental semi
osg60r260if.pdf

OSG60R260AF
OSG60R260AF

 5.4. Size:1003K  oriental semi
osg60r260pf.pdf

OSG60R260AF
OSG60R260AF

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: DMJ70H1D5SV3

 

 
Back to Top