OSG60R260AF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: OSG60R260AF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 40.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 76.4 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO251
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
OSG60R260AF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: AP4523GH | 2SK3716 | OSG60R360DSF | RF1S4N100SM | IXFK52N30Q | 2SJ590LS | IXFP18N65X2
History: AP4523GH | 2SK3716 | OSG60R360DSF | RF1S4N100SM | IXFK52N30Q | 2SJ590LS | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet