OSG60R260AF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: OSG60R260AF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 76.4 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для OSG60R260AF
OSG60R260AF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... OSG60R1K2PF , OSG60R1K8AF , OSG60R1K8DF , OSG60R1K8FF , OSG60R1K8PF , OSG60R200FSZF , OSG60R200JSZF , OSG60R200PSZF , IRFP250 , OSG60R260DF , OSG60R260FF , EMP21N03HC , OSG60R260IF , OSG60R260PF , OSG60R2K2AF , OSG60R2K2ASF , OSG60R2K2DF .
History: WMO10N100C2 | 2SK4015 | AOB600A70L | SCT2280KE | SIHLR120 | 2SK2366 | WSP4099
History: WMO10N100C2 | 2SK4015 | AOB600A70L | SCT2280KE | SIHLR120 | 2SK2366 | WSP4099



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet