OSG60R260AF datasheet, аналоги, параметры транзистора

OSG60R260AF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R260AF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 40.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для OSG60R260AF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:999K oriental semi
osg60r260af.pdf pdf_icon

5.1. Size:997K oriental semi
osg60r260df.pdf pdf_icon

5.2. Size:998K oriental semi
osg60r260ff.pdf pdf_icon

5.3. Size:1000K oriental semi
osg60r260if.pdf pdf_icon