Справочник MOSFET. OSG60R260AF

 

OSG60R260AF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R260AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76.4 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R260AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:999K  oriental semi
osg60r260af.pdfpdf_icon

OSG60R260AF

 5.1. Size:997K  oriental semi
osg60r260df.pdfpdf_icon

OSG60R260AF

 5.2. Size:998K  oriental semi
osg60r260ff.pdfpdf_icon

OSG60R260AF

 5.3. Size:1000K  oriental semi
osg60r260if.pdfpdf_icon

OSG60R260AF

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AP4523GH | 2SK3716 | OSG60R360DSF | RF1S4N100SM | IXFK52N30Q | 2SJ590LS | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.