Справочник MOSFET. OSG60R260AF

 

OSG60R260AF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R260AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для OSG60R260AF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R260AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:999K  oriental semi
osg60r260af.pdfpdf_icon

OSG60R260AF

 5.1. Size:997K  oriental semi
osg60r260df.pdfpdf_icon

OSG60R260AF

 5.2. Size:998K  oriental semi
osg60r260ff.pdfpdf_icon

OSG60R260AF

 5.3. Size:1000K  oriental semi
osg60r260if.pdfpdf_icon

OSG60R260AF

Другие MOSFET... OSG60R1K2PF , OSG60R1K8AF , OSG60R1K8DF , OSG60R1K8FF , OSG60R1K8PF , OSG60R200FSZF , OSG60R200JSZF , OSG60R200PSZF , STF13NM60N , OSG60R260DF , OSG60R260FF , EMP21N03HC , OSG60R260IF , OSG60R260PF , OSG60R2K2AF , OSG60R2K2ASF , OSG60R2K2DF .

History: TPCJ2101 | FQD13N10LTF

 

 
Back to Top

 


 
.