OSG60R340DT3F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R340DT3F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG60R340DT3F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R340DT3F даташит

 ..1. Size:936K  oriental semi
 osg60r340dt3f.pdf pdf_icon

OSG60R340DT3F

 5.1. Size:923K  oriental semi
 osg60r340ft3f.pdf pdf_icon

OSG60R340DT3F

 7.1. Size:879K  oriental semi
 osg60r360dzf.pdf pdf_icon

OSG60R340DT3F

 7.2. Size:997K  oriental semi
 osg60r380af.pdf pdf_icon

OSG60R340DT3F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG60R2K2AF, OSG60R2K2ASF, OSG60R2K2DF, OSG60R2K2DSF, OSG60R2K2FSF, OSG60R2K8AF, OSG60R2K8DF, OSG60R320FT3ZF, 2N60, OSG60R340FT3F, OSG60R360DSF, OSG60R360DZF, OSG60R360FSF, OSG60R380AF, OSG60R380DF, OSG60R380DTF, OSG60R380FF