OSG60R360FSF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: OSG60R360FSF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 71.1 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для OSG60R360FSF
OSG60R360FSF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... OSG60R2K2FSF , OSG60R2K8AF , OSG60R2K8DF , OSG60R320FT3ZF , OSG60R340DT3F , OSG60R340FT3F , OSG60R360DSF , OSG60R360DZF , P60NF06 , OSG60R380AF , OSG60R380DF , OSG60R380DTF , OSG60R380FF , OSG60R380IF , OSG60R380PF , OSG60R580AF , OSG60R580DF .
History: WMB60P02TS | JMTLA2N7002KS | TPC8003 | 2SK3376MFV | DMN4040SK3 | TK20J50D | 2SK4015
History: WMB60P02TS | JMTLA2N7002KS | TPC8003 | 2SK3376MFV | DMN4040SK3 | TK20J50D | 2SK4015



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent