Справочник MOSFET. OSG60R360FSF

 

OSG60R360FSF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R360FSF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 71.1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для OSG60R360FSF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R360FSF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:861K  oriental semi
osg60r360fsf.pdfpdf_icon

OSG60R360FSF

 5.1. Size:879K  oriental semi
osg60r360dzf.pdfpdf_icon

OSG60R360FSF

 5.2. Size:890K  oriental semi
osg60r360dsf.pdfpdf_icon

OSG60R360FSF

 7.1. Size:997K  oriental semi
osg60r380af.pdfpdf_icon

OSG60R360FSF

Другие MOSFET... OSG60R2K2FSF , OSG60R2K8AF , OSG60R2K8DF , OSG60R320FT3ZF , OSG60R340DT3F , OSG60R340FT3F , OSG60R360DSF , OSG60R360DZF , RU6888R , OSG60R380AF , OSG60R380DF , OSG60R380DTF , OSG60R380FF , OSG60R380IF , OSG60R380PF , OSG60R580AF , OSG60R580DF .

History: CJ3139KDW | APM4012NU | CEB6060N | FDS5170N7 | IXTQ96N15P | AD8N60S

 

 
Back to Top

 


 
.