Справочник MOSFET. OSG60R380DF

 

OSG60R380DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R380DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для OSG60R380DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R380DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1051K  oriental semi
osg60r380df.pdfpdf_icon

OSG60R380DF

 4.1. Size:787K  oriental semi
osg60r380dtf.pdfpdf_icon

OSG60R380DF

 5.1. Size:997K  oriental semi
osg60r380af.pdfpdf_icon

OSG60R380DF

 5.2. Size:985K  oriental semi
osg60r380pf.pdfpdf_icon

OSG60R380DF

Другие MOSFET... OSG60R2K8DF , OSG60R320FT3ZF , OSG60R340DT3F , OSG60R340FT3F , OSG60R360DSF , OSG60R360DZF , OSG60R360FSF , OSG60R380AF , IRFZ48N , OSG60R380DTF , OSG60R380FF , OSG60R380IF , OSG60R380PF , OSG60R580AF , OSG60R580DF , OSG60R580DT3F , OSG60R580DTF .

History: CEP85N75 | SSM6P36FE | FTK2102 | AUIRLB3036

 

 
Back to Top

 


 
.