Справочник MOSFET. OSG60R600DMZF

 

OSG60R600DMZF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG60R600DMZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 31.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для OSG60R600DMZF

 

 

OSG60R600DMZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:846K  oriental semi
osg60r600dmzf.pdf

OSG60R600DMZF
OSG60R600DMZF

 7.1. Size:1069K  oriental semi
osg60r670df.pdf

OSG60R600DMZF
OSG60R600DMZF

 7.2. Size:1004K  oriental semi
osg60r670af.pdf

OSG60R600DMZF
OSG60R600DMZF

 7.3. Size:991K  oriental semi
osg60r670pf.pdf

OSG60R600DMZF
OSG60R600DMZF

 7.4. Size:1018K  oriental semi
osg60r670ff.pdf

OSG60R600DMZF
OSG60R600DMZF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top