Справочник MOSFET. OSG60R900AF

 

OSG60R900AF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG60R900AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 11.4 ns
   Выходная емкость (Cd): 31.4 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для OSG60R900AF

 

 

OSG60R900AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1040K  oriental semi
osg60r900af.pdf

OSG60R900AF
OSG60R900AF

 5.1. Size:999K  oriental semi
osg60r900pf.pdf

OSG60R900AF
OSG60R900AF

 5.2. Size:1013K  oriental semi
osg60r900df.pdf

OSG60R900AF
OSG60R900AF

 5.3. Size:1012K  oriental semi
osg60r900ff.pdf

OSG60R900AF
OSG60R900AF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top