Справочник MOSFET. OSG65R020HT3F

 

OSG65R020HT3F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG65R020HT3F
   Маркировка: OSG65R020HT3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 637 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 163 nC
   trⓘ - Время нарастания: 63.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 495 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для OSG65R020HT3F

 

 

OSG65R020HT3F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:972K  oriental semi
osg65r020ht3f.pdf

OSG65R020HT3F OSG65R020HT3F

 6.1. Size:889K  oriental semi
osg65r028hf.pdf

OSG65R020HT3F OSG65R020HT3F

 6.2. Size:943K  oriental semi
osg65r028h4t3zf.pdf

OSG65R020HT3F OSG65R020HT3F

 6.3. Size:970K  oriental semi
osg65r028ht3zf.pdf

OSG65R020HT3F OSG65R020HT3F

 6.4. Size:937K  oriental semi
osg65r022h4t3zf.pdf

OSG65R020HT3F OSG65R020HT3F

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top