OSG65R020HT3F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG65R020HT3F
   Маркировка: OSG65R020HT3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 637 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 163 nC
   Время нарастания (tr): 63.2 ns
   Выходная емкость (Cd): 495 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO247

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .