OSG65R038H4ZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: OSG65R038H4ZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 121.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 516.1 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам