OSG65R038HZF datasheet, аналоги, параметры транзистора

OSG65R038HZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R038HZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 121.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 486 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для OSG65R038HZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:1057K oriental semi
osg65r038hzf.pdf pdf_icon

4.1. Size:1021K oriental semi
osg65r038htzf.pdf pdf_icon

4.2. Size:1054K oriental semi
osg65r038h4zf.pdf pdf_icon

6.1. Size:1061K oriental semi
osg65r035hzf.pdf pdf_icon