Справочник MOSFET. OSG65R042HF

 

OSG65R042HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG65R042HF
   Маркировка: OSG65R042H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 89.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 61.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 267.9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для OSG65R042HF

 

 

OSG65R042HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1055K  oriental semi
osg65r042hf.pdf

OSG65R042HF
OSG65R042HF

 6.1. Size:990K  oriental semi
osg65r041ht3zf.pdf

OSG65R042HF
OSG65R042HF

 6.2. Size:960K  oriental semi
osg65r040ht3f.pdf

OSG65R042HF
OSG65R042HF

 6.3. Size:1059K  oriental semi
osg65r041hzf.pdf

OSG65R042HF
OSG65R042HF

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top