OSG65R069H4SZF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG65R069H4SZF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG65R069H4SZF
   Маркировка: OSG65R069H4SZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 108 nC
   trⓘ - Время нарастания: 88.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 293.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4L

Аналог (замена) для OSG65R069H4SZF