OSG65R074FT3ZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R074FT3ZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 168 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG65R074FT3ZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R074FT3ZF даташит

 ..1. Size:934K  oriental semi
osg65r074ft3zf.pdfpdf_icon

OSG65R074FT3ZF

 5.1. Size:916K  oriental semi
osg65r074kt3zf.pdfpdf_icon

OSG65R074FT3ZF

 5.2. Size:979K  oriental semi
osg65r074ht3zf.pdfpdf_icon

OSG65R074FT3ZF

 6.1. Size:938K  oriental semi
osg65r070ht3f.pdfpdf_icon

OSG65R074FT3ZF

Другие IGBT... OSG65R069H4SZF, OSG65R069HF, OSG65R069HSF, OSG65R069HSZF, OSG65R069HZF, OSG65R070FT3F, OSG65R070HT3F, OSG65R070PT3F, 8205A, OSG65R074HT3ZF, OSG65R074KT3ZF, OSG65R080HT3ZF, OSG65R080KT3ZF, OSG65R080PT3ZF, OSG65R080TT3ZF, OSG65R099FF, OSG65R099FSZF