Справочник MOSFET. OSG65R074FT3ZF

 

OSG65R074FT3ZF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG65R074FT3ZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 168 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG65R074FT3ZF

 

 

OSG65R074FT3ZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:934K  oriental semi
osg65r074ft3zf.pdf

OSG65R074FT3ZF
OSG65R074FT3ZF

 5.1. Size:916K  oriental semi
osg65r074kt3zf.pdf

OSG65R074FT3ZF
OSG65R074FT3ZF

 5.2. Size:979K  oriental semi
osg65r074ht3zf.pdf

OSG65R074FT3ZF
OSG65R074FT3ZF

 6.1. Size:938K  oriental semi
osg65r070ht3f.pdf

OSG65R074FT3ZF
OSG65R074FT3ZF

 6.2. Size:949K  oriental semi
osg65r070pt3f.pdf

OSG65R074FT3ZF
OSG65R074FT3ZF

 6.3. Size:845K  oriental semi
osg65r070ft3f.pdf

OSG65R074FT3ZF
OSG65R074FT3ZF

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top