OSG65R125HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG65R125HF
   Маркировка: OSG65R125H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 219 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 41.9 nC
   Время нарастания (tr): 30.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 154.1 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO247

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFP150N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .