OSG65R130PT3ZF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG65R130PT3ZF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG65R130PT3ZF
   Маркировка: OSG65R130PT3Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 201 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для OSG65R130PT3ZF

OSG65R130PT3ZF Datasheet (PDF)

..1. Size:973K oriental semi
osg65r130pt3zf.pdf

5.1. Size:982K oriental semi
osg65r130ht3zf.pdf

7.1. Size:926K oriental semi
osg65r140pszf.pdf

7.2. Size:906K oriental semi
osg65r125pf.pdf

7.3. Size:881K oriental semi
osg65r125kf.pdf

7.4. Size:1166K oriental semi
osg65r1k4af osg65r1k4df osg65r1k4ff osg65r1k4pf.pdf

OSG65R1K4xF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG65R1K4AF, OSG65R1K4DF, OSG65R1K4FF, OSG65R1K4PF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Genera

7.5. Size:887K oriental semi
osg65r125ff.pdf