OSG65R130PT3ZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R130PT3ZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 201 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для OSG65R130PT3ZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R130PT3ZF даташит

 ..1. Size:973K  oriental semi
 osg65r130pt3zf.pdf pdf_icon

OSG65R130PT3ZF

 5.1. Size:982K  oriental semi
 osg65r130ht3zf.pdf pdf_icon

OSG65R130PT3ZF

 7.1. Size:926K  oriental semi
 osg65r140pszf.pdf pdf_icon

OSG65R130PT3ZF

 7.2. Size:906K  oriental semi
 osg65r125pf.pdf pdf_icon

OSG65R130PT3ZF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG65R125HF, OSG65R125HT3ZF, OSG65R125IF, OSG65R125JF, OSG65R125KF, OSG65R125PF, OSG65R125PZF, OSG65R130HT3ZF, AO4407, OSG65R140FSZF, OSG65R140H4SZF, OSG65R140HSZF, OSG65R140K7SZF, OSG65R140KSZF, OSG65R140PSZF, OSG65R1K5DZF, OSG65R200FEF