OSG65R140HSZF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: OSG65R140HSZF
   Маркировка: OSG65R140HSZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 55.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 68.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 151.1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам