OSG65R220HZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R220HZF

Маркировка: OSG65R220HZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 21.7 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 82.64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для OSG65R220HZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R220HZF даташит

 ..1. Size:1009K  oriental semi
osg65r220hzf.pdfpdf_icon

OSG65R220HZF

 5.1. Size:973K  oriental semi
osg65r220fzf.pdfpdf_icon

OSG65R220HZF

 5.2. Size:972K  oriental semi
osg65r220kzf.pdfpdf_icon

OSG65R220HZF

 5.3. Size:969K  oriental semi
osg65r220izf.pdfpdf_icon

OSG65R220HZF

Другие IGBT... OSG65R200FSF-NB, OSG65R200FT3F, OSG65R200HF, OSG65R200JF, OSG65R200JT3F, OSG65R200KF, OSG65R200PF, OSG65R220FZF, P60NF06, OSG65R220IZF, OSG65R220KZF, OSG65R220PZF, OSG65R260DSF, OSG65R260FSF, OSG65R260FSF-NB, OSG65R290AF, OSG65R290DF