OSG65R290AF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R290AF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для OSG65R290AF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R290AF даташит

 ..1. Size:1035K  oriental semi
osg65r290af.pdfpdf_icon

OSG65R290AF

 5.1. Size:1008K  oriental semi
osg65r290pf.pdfpdf_icon

OSG65R290AF

 5.2. Size:1014K  oriental semi
osg65r290ff.pdfpdf_icon

OSG65R290AF

 5.3. Size:959K  oriental semi
osg65r290ftf.pdfpdf_icon

OSG65R290AF

Другие IGBT... OSG65R220FZF, OSG65R220HZF, OSG65R220IZF, OSG65R220KZF, OSG65R220PZF, OSG65R260DSF, OSG65R260FSF, OSG65R260FSF-NB, IRFZ48N, OSG65R290DF, OSG65R290FEF-NB, OSG65R290FF, OSG65R290FTF, OSG65R290KF, OSG65R290PF, OSG65R2K4AF, OSG65R2K4DF