OSG65R290AF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG65R290AF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG65R290AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67.7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для OSG65R290AF

OSG65R290AF Datasheet (PDF)

..1. Size:1035K oriental semi
osg65r290af.pdf

5.1. Size:1008K oriental semi
osg65r290pf.pdf

5.2. Size:1014K oriental semi
osg65r290ff.pdf

5.3. Size:959K oriental semi
osg65r290ftf.pdf

5.4. Size:1036K oriental semi
osg65r290df.pdf

5.5. Size:972K oriental semi
osg65r290def.pdf

5.6. Size:938K oriental semi
osg65r290kef.pdf

5.7. Size:991K oriental semi
osg65r290fef osg65r290def osg65r290kef.pdf

OSG65R290xEF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger EMI and performance balanced OSG65R290FEF, OSG65R290DEF, OSG65R290KEF , Enhancement Mode N-Channel

5.8. Size:937K oriental semi
osg65r290fef.pdf