OSG65R290DF datasheet, аналоги, параметры транзистора

OSG65R290DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R290DF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG65R290DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

OSG65R290DF даташит

..1. Size:1036K oriental semi
osg65r290df.pdf pdf_icon

4.1. Size:972K oriental semi
osg65r290def.pdf pdf_icon

4.2. Size:991K oriental semi
osg65r290fef osg65r290def osg65r290kef.pdf pdf_icon

OSG65R290xEF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger EMI and performance balanced OSG65R290FEF, OSG65R290DEF, OSG65R290KEF , Enhancement Mode N-Channel

5.1. Size:1008K oriental semi
osg65r290pf.pdf pdf_icon