OSG65R290DF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG65R290DF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG65R290DF
   Маркировка: OSG65R290D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 104 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 18 nC
   Время нарастания (tr): 39.9 ns
   Выходная емкость (Cd): 67.7 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG65R290DF

OSG65R290DF Datasheet (PDF)

..1. Size:1036K oriental semi
osg65r290df.pdf

4.1. Size:972K oriental semi
osg65r290def.pdf

4.2. Size:991K oriental semi
osg65r290fef osg65r290def osg65r290kef.pdf

OSG65R290xEF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger EMI and performance balanced OSG65R290FEF, OSG65R290DEF, OSG65R290KEF , Enhancement Mode N-Channel

5.1. Size:1008K oriental semi
osg65r290pf.pdf