OSG65R2KFF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R2KFF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для OSG65R2KFF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R2KFF даташит

 ..1. Size:978K  oriental semi
 osg65r2kff.pdf pdf_icon

OSG65R2KFF

 5.1. Size:1018K  oriental semi
 osg65r2kfsf.pdf pdf_icon

OSG65R2KFF

 6.1. Size:1018K  oriental semi
 osg65r2kaf.pdf pdf_icon

OSG65R2KFF

 6.2. Size:986K  oriental semi
 osg65r2k4ff.pdf pdf_icon

OSG65R2KFF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG65R290KF, OSG65R290PF, OSG65R2K4AF, OSG65R2K4DF, OSG65R2K4FF, OSG65R2K4PF, OSG65R2KAF, OSG65R2KDF, IRF9640, OSG65R2KFSF, OSG65R2KPF, OSG65R340DZF, OSG65R340FZF, OSG65R360DEF, OSG65R360GEF, OSG65R360JEF, OSG65R360PEF