OSG65R340DZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R340DZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG65R340DZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R340DZF даташит

 ..1. Size:852K  oriental semi
osg65r340dzf.pdfpdf_icon

OSG65R340DZF

 5.1. Size:901K  oriental semi
osg65r340fzf.pdfpdf_icon

OSG65R340DZF

 7.1. Size:1038K  oriental semi
osg65r380dtf.pdfpdf_icon

OSG65R340DZF

 7.2. Size:985K  oriental semi
osg65r380if.pdfpdf_icon

OSG65R340DZF

Другие IGBT... OSG65R2K4DF, OSG65R2K4FF, OSG65R2K4PF, OSG65R2KAF, OSG65R2KDF, OSG65R2KFF, OSG65R2KFSF, OSG65R2KPF, IRF730, OSG65R340FZF, OSG65R360DEF, OSG65R360GEF, OSG65R360JEF, OSG65R360PEF, OSG65R380AF, OSG65R380DF, OSG65R380DSF