Справочник MOSFET. OSG65R380DF

 

OSG65R380DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG65R380DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для OSG65R380DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R380DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1052K  oriental semi
osg65r380df.pdfpdf_icon

OSG65R380DF

 4.1. Size:1038K  oriental semi
osg65r380dtf.pdfpdf_icon

OSG65R380DF

 4.2. Size:994K  oriental semi
osg65r380def.pdfpdf_icon

OSG65R380DF

 4.3. Size:985K  oriental semi
osg65r380dsf.pdfpdf_icon

OSG65R380DF

Другие MOSFET... OSG65R2KPF , OSG65R340DZF , OSG65R340FZF , OSG65R360DEF , OSG65R360GEF , OSG65R360JEF , OSG65R360PEF , OSG65R380AF , IRF540N , OSG65R380DSF , OSG65R380DTF , OSG65R380FEF-NB , OSG65R380FF , OSG65R380FSEF , OSG65R380FSF , OSG65R380FSF-NB , OSG65R380FTF .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.