OSG65R380DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R380DF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 63.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG65R380DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R380DF даташит

 ..1. Size:1052K  oriental semi
osg65r380df.pdfpdf_icon

OSG65R380DF

 4.1. Size:1038K  oriental semi
osg65r380dtf.pdfpdf_icon

OSG65R380DF

 4.2. Size:994K  oriental semi
osg65r380def.pdfpdf_icon

OSG65R380DF

 4.3. Size:985K  oriental semi
osg65r380dsf.pdfpdf_icon

OSG65R380DF

Другие IGBT... OSG65R2KPF, OSG65R340DZF, OSG65R340FZF, OSG65R360DEF, OSG65R360GEF, OSG65R360JEF, OSG65R360PEF, OSG65R380AF, IRF540, OSG65R380DSF, OSG65R380DTF, OSG65R380FEF-NB, OSG65R380FF, OSG65R380FSEF, OSG65R380FSF, OSG65R380FSF-NB, OSG65R380FTF