OSG65R380DSF datasheet, аналоги, параметры транзистора

OSG65R380DSF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R380DSF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 25.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 94.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG65R380DSF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:985K oriental semi
osg65r380dsf.pdf pdf_icon

4.1. Size:1038K oriental semi
osg65r380dtf.pdf pdf_icon

4.2. Size:994K oriental semi
osg65r380def.pdf pdf_icon

4.3. Size:1052K oriental semi
osg65r380df.pdf pdf_icon