OSG65R385DTF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R385DTF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG65R385DTF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R385DTF даташит

 ..1. Size:848K  oriental semi
 osg65r385dtf.pdf pdf_icon

OSG65R385DTF

 6.1. Size:1038K  oriental semi
 osg65r380dtf.pdf pdf_icon

OSG65R385DTF

 6.2. Size:985K  oriental semi
 osg65r380if.pdf pdf_icon

OSG65R385DTF

 6.3. Size:947K  oriental semi
 osg65r380ksf.pdf pdf_icon

OSG65R385DTF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG65R380FSF, OSG65R380FSF-NB, OSG65R380FTF, OSG65R380FZF, OSG65R380IF, OSG65R380KF, OSG65R380KSF, OSG65R380PF, AON6414A, OSG65R420AF, OSG65R420DF, OSG65R420FF, OSG65R420PF, OSG65R460AZF, OSG65R460DZ, OSG65R460FZF, OSG65R460FZF-NB