Справочник MOSFET. OSG65R460FZF

 

OSG65R460FZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG65R460FZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32.9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R460FZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1017K  oriental semi
osg65r460fzf.pdfpdf_icon

OSG65R460FZF

 0.1. Size:1024K  oriental semi
osg65r460fzf-nb.pdfpdf_icon

OSG65R460FZF

 5.1. Size:977K  oriental semi
osg65r460pzf.pdfpdf_icon

OSG65R460FZF

 5.2. Size:1003K  oriental semi
osg65r460azf.pdfpdf_icon

OSG65R460FZF

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SMK0270F | SI7913DN | BLP20N10L-Q | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F

 

 
Back to Top

 


 
.