Справочник MOSFET. OSG65R460FZF

 

OSG65R460FZF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG65R460FZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 18.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 32.9 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.46 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG65R460FZF

 

 

OSG65R460FZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1017K  oriental semi
osg65r460fzf.pdf

OSG65R460FZF OSG65R460FZF

 0.1. Size:1024K  oriental semi
osg65r460fzf-nb.pdf

OSG65R460FZF OSG65R460FZF

 5.1. Size:977K  oriental semi
osg65r460pzf.pdf

OSG65R460FZF OSG65R460FZF

 5.2. Size:1003K  oriental semi
osg65r460azf.pdf

OSG65R460FZF OSG65R460FZF

 5.3. Size:1000K  oriental semi
osg65r460dzf.pdf

OSG65R460FZF OSG65R460FZF

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top