OSG65R460PZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R460PZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для OSG65R460PZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R460PZF даташит

 ..1. Size:977K  oriental semi
osg65r460pzf.pdfpdf_icon

OSG65R460PZF

 5.1. Size:1003K  oriental semi
osg65r460azf.pdfpdf_icon

OSG65R460PZF

 5.2. Size:1024K  oriental semi
osg65r460fzf-nb.pdfpdf_icon

OSG65R460PZF

 5.3. Size:1000K  oriental semi
osg65r460dzf.pdfpdf_icon

OSG65R460PZF

Другие IGBT... OSG65R420AF, OSG65R420DF, OSG65R420FF, OSG65R420PF, OSG65R460AZF, OSG65R460DZ, OSG65R460FZF, OSG65R460FZF-NB, AON7408, OSG65R580AF, OSG65R580DF, OSG65R580DT3F, OSG65R580DTF, OSG65R580FEF, OSG65R580FEF-NB, OSG65R580FF, OSG65R580FSF