OSG65R650DZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: OSG65R650DZF
   Маркировка: OSG65R650DZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 33.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 36.9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам