OSG65R650D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R650D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для OSG65R650D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R650D даташит

 ..1. Size:1005K  oriental semi
 osg65r650a osg65r650d osg65r650f osg65r650p.pdf pdf_icon

OSG65R650D

 0.1. Size:859K  oriental semi
 osg65r650dzf.pdf pdf_icon

OSG65R650D

 5.1. Size:891K  oriental semi
 osg65r650fzf.pdf pdf_icon

OSG65R650D

 7.1. Size:998K  oriental semi
 osg65r600fsf-nb.pdf pdf_icon

OSG65R650D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG65R580KT3F, OSG65R580PF, OSG65R600DSF, OSG65R600FSF, OSG65R600FSF-NB, OSG65R650DZF, OSG65R650FZF, OSG65R650A, 12N60, OSG65R650F, OSG65R650P, OSG65R760AF, OSG65R760DF, OSG65R760FF, OSG65R760IF, OSG65R760PF, OSG65R900AF