STM4886. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STM4886
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 578 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для STM4886
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STM4886 даташит
stm4886.pdf
Green Product STM4886 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 3.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 3.5 @ VGS=10V Suface Mount Package. 30V 18A 5.4 @ VGS=4.5V D 5 4 G 6 3 D S 7 2 S D SO-8 8 1 S D 1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unle
stm4886e.pdf
Green Product STM4886E a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 5 @ VGS=10V Suface Mount Package. 30V 17.8A 7.5 @ VGS=4.5V ESD Protected. D 5 4 G D 6 3 S 7 2 D S S O-8 8 1 D S 1 (TA=25 C unless other
stm4884a.pdf
S T M4884A S amHop Microelectronics C orp. Dec 28 2004 ver1.1 N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect Transistor P R ODUC T S UMMAR Y F E AT UR E S S uper high dense cell design for low R DS (ON). V DS S ID R DS (ON) ( m W ) typ R ugged and reliable. 6 @ V G S = 10V 30V 12A S urface Mount Package. 8.5 @ V G S = 4.5V S O-8 1 ABS OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C unless otherwis
stm4880.pdf
STM4880 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 17 @ VGS=10V Suface Mount Package. 30V 9.6A 26 @ VGS=4.5V ESD Protected. D 5 4 G 6 3 D S 7 2 D S S O-8 8 1 D S 1 (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLU
Другие MOSFET... FDMS86300 , FDMS86322 , FDMS86500L , FDMS86520L , FDMS8848NZ , FDMS8888 , STM4886E , FDMS9620S , TK10A60D , FDN302P , FDN304P , FDN304PZ , FDN306P , FDN308P , FDN327N , FDN342P , FDN352AP .
History: MTB095N10KRN3 | 2N65KG-TMS-T | ZXMN6A25K | OSG60R074FZF | MTP1N100 | SI7113ADN | SI4966DY
History: MTB095N10KRN3 | 2N65KG-TMS-T | ZXMN6A25K | OSG60R074FZF | MTP1N100 | SI7113ADN | SI4966DY
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet





