OSG70R1K4FF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG70R1K4FF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG70R1K4FF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG70R1K4FF даташит

 ..1. Size:1013K  oriental semi
osg70r1k4ff.pdfpdf_icon

OSG70R1K4FF

 5.1. Size:1027K  oriental semi
osg70r1k4af.pdfpdf_icon

OSG70R1K4FF

 5.2. Size:996K  oriental semi
osg70r1k4df.pdfpdf_icon

OSG70R1K4FF

 5.3. Size:973K  oriental semi
osg70r1k4pf.pdfpdf_icon

OSG70R1K4FF

Другие IGBT... OSG65R900DF, OSG65R900FEF, OSG65R900FF, OSG65R900FTF, OSG65R900GTF, OSG65R900PF, OSG70R1K4AF, OSG70R1K4DF, 20N50, OSG70R1K4PF, OSG70R1KAF, OSG70R1KDF, OSG70R1KFF, OSG70R1KPF, OSG70R280KF, OSG70R290DF, OSG70R2K6AF