OSG70R1KDF datasheet, подбор замены

OSG70R1KDF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG70R1KDF

Маркировка: OSG70R1KD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.3 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO252

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам