OSG70R290DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG70R290DF

Маркировка: OSG70R290D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 16.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG70R290DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG70R290DF даташит

 ..1. Size:924K  oriental semi
osg70r290df.pdfpdf_icon

OSG70R290DF

 7.1. Size:1022K  oriental semi
osg70r2k6ff.pdfpdf_icon

OSG70R290DF

 7.2. Size:1006K  oriental semi
osg70r2k6af.pdfpdf_icon

OSG70R290DF

 7.3. Size:911K  oriental semi
osg70r280kf.pdfpdf_icon

OSG70R290DF

Другие IGBT... OSG70R1K4DF, OSG70R1K4FF, OSG70R1K4PF, OSG70R1KAF, OSG70R1KDF, OSG70R1KFF, OSG70R1KPF, OSG70R280KF, P60NF06, OSG70R2K6AF, OSG70R2K6DF, OSG70R2K6FF, OSG70R2K6PF, OSG70R350AF, OSG70R350DF, OSG70R350DTF, OSG70R350FF