OSG70R290DF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: OSG70R290DF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для OSG70R290DF
OSG70R290DF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... OSG70R1K4DF , OSG70R1K4FF , OSG70R1K4PF , OSG70R1KAF , OSG70R1KDF , OSG70R1KFF , OSG70R1KPF , OSG70R280KF , AO3401 , OSG70R2K6AF , OSG70R2K6DF , OSG70R2K6FF , OSG70R2K6PF , OSG70R350AF , OSG70R350DF , OSG70R350DTF , OSG70R350FF .
History: UT2301G-AE3-R | HM2309D | OSG65R900PF | IRF135B203 | MMD60R900QRH | APT5018BLL | IPP60R170CFD7
History: UT2301G-AE3-R | HM2309D | OSG65R900PF | IRF135B203 | MMD60R900QRH | APT5018BLL | IPP60R170CFD7



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor