OSG70R2K6PF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG70R2K6PF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12.08 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для OSG70R2K6PF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG70R2K6PF даташит

 ..1. Size:1038K  oriental semi
osg70r2k6pf.pdfpdf_icon

OSG70R2K6PF

 5.1. Size:1022K  oriental semi
osg70r2k6ff.pdfpdf_icon

OSG70R2K6PF

 5.2. Size:1006K  oriental semi
osg70r2k6af.pdfpdf_icon

OSG70R2K6PF

 5.3. Size:1046K  oriental semi
osg70r2k6df.pdfpdf_icon

OSG70R2K6PF

Другие IGBT... OSG70R1KDF, OSG70R1KFF, OSG70R1KPF, OSG70R280KF, OSG70R290DF, OSG70R2K6AF, OSG70R2K6DF, OSG70R2K6FF, STP65NF06, OSG70R350AF, OSG70R350DF, OSG70R350DTF, OSG70R350FF, OSG70R350KF, OSG70R350PF, OSG70R360DF, OSG70R360DSF