OSG70R350AF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG70R350AF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 63.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для OSG70R350AF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG70R350AF даташит

 ..1. Size:1026K  oriental semi
osg70r350af.pdfpdf_icon

OSG70R350AF

 5.1. Size:1062K  oriental semi
osg70r350ff.pdfpdf_icon

OSG70R350AF

 5.2. Size:876K  oriental semi
osg70r350dtf.pdfpdf_icon

OSG70R350AF

 5.3. Size:1001K  oriental semi
osg70r350pf.pdfpdf_icon

OSG70R350AF

Другие IGBT... OSG70R1KFF, OSG70R1KPF, OSG70R280KF, OSG70R290DF, OSG70R2K6AF, OSG70R2K6DF, OSG70R2K6FF, OSG70R2K6PF, IRF1405, OSG70R350DF, OSG70R350DTF, OSG70R350FF, OSG70R350KF, OSG70R350PF, OSG70R360DF, OSG70R360DSF, OSG70R360DTF