Справочник MOSFET. OSG70R350DTF

 

OSG70R350DTF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG70R350DTF
   Маркировка: OSG70R350DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG70R350DTF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:876K  oriental semi
osg70r350dtf.pdfpdf_icon

OSG70R350DTF

 4.1. Size:1027K  oriental semi
osg70r350df.pdfpdf_icon

OSG70R350DTF

 5.1. Size:1062K  oriental semi
osg70r350ff.pdfpdf_icon

OSG70R350DTF

 5.2. Size:1026K  oriental semi
osg70r350af.pdfpdf_icon

OSG70R350DTF

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AP2764AP-A-HF | SHD225613 | MDP10N055TH | UPA650TT | CEM6086L | NTMFS5C609NL | IRF7483MTRPBF

 

 
Back to Top

 


 
.