Справочник MOSFET. OSG70R360DF

 

OSG70R360DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG70R360DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для OSG70R360DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG70R360DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1060K  oriental semi
osg70r360df.pdfpdf_icon

OSG70R360DF

 4.1. Size:890K  oriental semi
osg70r360dtf.pdfpdf_icon

OSG70R360DF

 4.2. Size:944K  oriental semi
osg70r360dsf.pdfpdf_icon

OSG70R360DF

 5.1. Size:901K  oriental semi
osg70r360ftf.pdfpdf_icon

OSG70R360DF

Другие MOSFET... OSG70R2K6FF , OSG70R2K6PF , OSG70R350AF , OSG70R350DF , OSG70R350DTF , OSG70R350FF , OSG70R350KF , OSG70R350PF , AON7403 , OSG70R360DSF , OSG70R360DTF , OSG70R360FSF , OSG70R360FSF-NB , OSG70R360FTF , OSG70R360KSF , OSG70R420DEF , OSG70R500AF .

History: FDD6696 | 2SK3471 | TK20E60W | AP60WN1K2IN | BL2N50-D | TK12J60U | IPP60R385CP

 

 
Back to Top

 


 
.