OSG70R360DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: OSG70R360DF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для OSG70R360DF
OSG70R360DF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... OSG70R2K6FF , OSG70R2K6PF , OSG70R350AF , OSG70R350DF , OSG70R350DTF , OSG70R350FF , OSG70R350KF , OSG70R350PF , AON7403 , OSG70R360DSF , OSG70R360DTF , OSG70R360FSF , OSG70R360FSF-NB , OSG70R360FTF , OSG70R360KSF , OSG70R420DEF , OSG70R500AF .
History: FDD6696 | 2SK3471 | TK20E60W | AP60WN1K2IN | BL2N50-D | TK12J60U | IPP60R385CP
History: FDD6696 | 2SK3471 | TK20E60W | AP60WN1K2IN | BL2N50-D | TK12J60U | IPP60R385CP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550