OSG70R360DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG70R360DF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG70R360DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG70R360DF даташит

 ..1. Size:1060K  oriental semi
osg70r360df.pdfpdf_icon

OSG70R360DF

 4.1. Size:890K  oriental semi
osg70r360dtf.pdfpdf_icon

OSG70R360DF

 4.2. Size:944K  oriental semi
osg70r360dsf.pdfpdf_icon

OSG70R360DF

 5.1. Size:901K  oriental semi
osg70r360ftf.pdfpdf_icon

OSG70R360DF

Другие IGBT... OSG70R2K6FF, OSG70R2K6PF, OSG70R350AF, OSG70R350DF, OSG70R350DTF, OSG70R350FF, OSG70R350KF, OSG70R350PF, IRF9640, OSG70R360DSF, OSG70R360DTF, OSG70R360FSF, OSG70R360FSF-NB, OSG70R360FTF, OSG70R360KSF, OSG70R420DEF, OSG70R500AF