OSG70R360DSF datasheet, аналоги, параметры транзистора

OSG70R360DSF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG70R360DSF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 25.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 94.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG70R360DSF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:944K oriental semi
osg70r360dsf.pdf pdf_icon

4.1. Size:890K oriental semi
osg70r360dtf.pdf pdf_icon

4.2. Size:1060K oriental semi
osg70r360df.pdf pdf_icon

5.1. Size:901K oriental semi
osg70r360ftf.pdf pdf_icon