OSG70R360DSF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: OSG70R360DSF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 94.8 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для OSG70R360DSF
OSG70R360DSF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... OSG70R2K6PF , OSG70R350AF , OSG70R350DF , OSG70R350DTF , OSG70R350FF , OSG70R350KF , OSG70R350PF , OSG70R360DF , IRF520 , OSG70R360DTF , OSG70R360FSF , OSG70R360FSF-NB , OSG70R360FTF , OSG70R360KSF , OSG70R420DEF , OSG70R500AF , OSG70R500DF .
History: RFM12N10L
History: RFM12N10L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047